場效應管怎么測量好壞
發布日期: 2025-07-18
場效應管（FET）的好壞測量可以通過萬用表（指針式或數字式）檢測其引腳間的電阻或導通特性來判斷，核心是驗證其柵極（G）、源極（S）、漏極（D）之間的絕緣性、導通能力及擊穿情況。以下是詳細的測量方法，適用于常見的 N 溝道和 P 溝道 MOSFET（金屬 - 氧化物半導體場效應管），結型場效應管（JFET）可參考類似邏輯：
一、測量前的準備
放電處理：MOSFET 的柵極（G）易積累靜電，測量前需用導線短接 G、S、D 三腳，釋放可能殘留的電荷，避免靜電損壞管子。
確認引腳定義：根據場效應管型號查閱 datasheet，明確柵極（G）、源極（S）、漏極（D）的引腳順序（常見封裝如 TO-220、SOP 等，引腳排列可能不同）。
萬用表設置：
數字萬用表：切換至 “二極管檔”（Ω 檔也可，二極管檔更直觀）。
指針式萬用表：切換至 “R×1k” 或 “R×10k” 檔（避免用高阻擋，防止表內電池電壓過高擊穿管子）。
二、N 溝道 MOSFET 的測量步驟
N 溝道 MOSFET 的核心特性：柵極（G）與源極（S）、漏極（D）之間絕緣；在 G 加正向電壓（相對于 S）時，D-S 導通。
1. 檢測柵極（G）與源極（S）、漏極（D）的絕緣性
G 與 S 之間：正常情況下，G 和 S 之間為氧化層絕緣，電阻應無窮大（數字表顯示 “OL”，指針表指針不動）。
若電阻較小（如幾百 Ω 到幾千 Ω），說明 G-S 間擊穿或漏電，管子損壞。
G 與 D 之間：同理，正常電阻應為無窮大。若有電阻，說明 G-D 間擊穿，管子損壞。
2. 檢測源極（S）與漏極（D）的導通特性
未加柵極電壓時：S 和 D 之間為寄生二極管（體二極管），具有單向導電性。
紅表筆接 S，黑表筆接 D：數字表顯示二極管正向壓降（約 0.5-0.7V，指針表指針偏轉較大），這是體二極管導通的正常現象。
紅表筆接 D，黑表筆接 S：電阻應無窮大（數字表 “OL”，指針表不動），若有導通，說明體二極管擊穿。
加柵極電壓觸發導通：
用手同時接觸 G 和 D（利用人體電阻給 G 加正向電壓），此時紅表筆接 S、黑表筆接 D，電阻應顯著減小（導通狀態），說明管子能正常觸發。
斷開 G 和 D 的連接后，若電阻恢復無窮大（或體二極管的正向壓降），說明管子正常；若始終導通，可能擊穿。
三、P 溝道 MOSFET 的測量步驟
P 溝道 MOSFET 與 N 溝道特性相反：G 加反向電壓（相對于 S）時，D-S 導通，體二極管方向也相反。
G 與 S、D 的絕緣性：同 N 溝道，正常應為無窮大，若有電阻則損壞。
S 與 D 的導通特性：
未加柵極電壓時，體二極管正向導通方向為 “D 接紅表筆，S 接黑表筆”（數字表顯示 0.5-0.7V），反向無窮大。
加柵極電壓時：用手同時接觸 G 和 S（給 G 加反向電壓），紅表筆接 D、黑表筆接 S，電阻應減小，說明導通正常。
四、結型場效應管（JFET）的測量差異
JFET 無氧化層，柵極（G）與源極（S）、漏極（D）之間為 PN 結：
N 溝道 JFET：G 接負電壓導通，G 與 S、G 與 D 之間為反向 PN 結，正常電阻無窮大；正向（G 接正）時電阻較小（PN 結導通）。
P 溝道 JFET：G 接正電壓導通，G 與 S、G 與 D 之間正向（G 接負）時電阻較小。
測量時需注意 PN 結的單向導電性，避免誤判。
五、判斷好壞的核心標準
絕緣性：G 與 S、G 與 D 之間必須絕緣（電阻無窮大），否則漏電或擊穿。
導通可控性：在正確柵極電壓觸發下，D-S 應能導通（電阻減小），斷開觸發后應恢復截止（體二極管狀態）。
體二極管正常：未觸發時，D-S 間的體二極管（MOSFET）或 PN 結（JFET）應具有單向導電性，無擊穿（雙向導通）。
注意事項
小功率貼片場效應管引腳細，測量時需避免表筆短路。
部分大功率 MOSFET 可能內置續流二極管，需結合 datasheet 確認體二極管是否為正常設計。
若測量結果與上述特性偏差較大（如始終導通、完全截止無法觸發），則可判定為損壞。
通過以上步驟，可快速判斷場效應管的基本好壞，更精確的參數（如耐壓、導通電阻）需專用儀器測量。
